RH850P1X芯片学习笔记-Flash Memory

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Features



Clock Supply


Block Diagram

Flash Size

Memory Configuration

Registers



Register Base Address

List of Registers

Register Reset Condition


与Flash Memory相关的操作模式

Functional Overview

Option Bytes



OPBT0 — Option Byte 0

OPBT1 — Option Byte 1

OPBT2 — Option Byte 2

OPBT13 — Option Byte 13

OPBT14 — Option Byte 14

OPBT15 — Option Byte 15

Features

•代码flash容量:高达10兆字节的用户区域
编程方法:

通过串行接口与专用闪存编程器通信编程(串行编程)。用户程序编程Flash(自编程)。

支持安全功能，以防止非法篡改或读取闪存中的数据。
支持保护功能，防止flash错误覆盖。
在Code Flash上支持OTP(一次性编程)
支持检测和纠正闪存中的错误。
支持BGO(后台操作)功能

Code flash可以读取，而data flash正在编程。
• 当一个bank的flash被擦除/编程/读取时，另一个bank的flash可以被擦除/编程/读取。Option Bytes寄存器值(设备的某些设置)可以在flash的扩展区域中配置Code Flash上的最小可写单元是256bytes，Data Flash上的最小可写单元是4bytes最小的可擦除单位是块。在Code Flash上8 kb或32 kb，在数据Flash上64bytes。
  

Clock Supply

下表列出了Flash控制逻辑(FACI)的时钟供应。


Block Diagram


Flash Size


Memory Configuration

RH850/P1x-C代码闪存中的用户区分为8kbytes或32kbytes块，可单独擦除




RH850/P1x-C数据闪存中的数据区被划分为64字节的块，可以单独擦除。


Registers

Register Base Address


List of Registers


Register Reset Condition


与Flash Memory相关的操作模式


可编程和可擦除的flash区域以及复位后的启动程序取决于所选模式。模式之间的差异如表32.6所示


Functional Overview

RH850/P1x-C的片上闪存可以在安装到目标系统之前和之后进行编程，其编程功能采用专用的闪存编程器(串行编程)。
此外，还支持禁止在片上闪存中编写用户程序的安全功能，以防止程序被外部人员伪造
使用用户程序的编程功能（自编程）是适用于预期在目标系统的生产或装运之后修改程序的应用的方法。还支持对闪存区域进行安全编程的保护功能。
此外，通过在自编程期间利用对中断处理的支持，可以在各种条件下进行编程，例如与外部通信并行。
表32.7概述了编程方法和相应的操作模式。

Option Bytes

flash memory具有扩展区域(可选字节)来存储用户为各种目的指定的数据。设置的更改，例如使用选项字节的外设功能的初始设置，在从复位状态释放后生效。
OPBT0 — Option Byte 0


OPWDRUN0:该位启用或禁用WDTA0的自动启动。
0:禁用WDTA0自动启动。
1:启用WDTA0自动启动
OPWDOFV2 to OPWDOFV0:这些位选择WDTA0、WDTA1的溢出时间


OPWD0MD：该位选择WDTA0、WDTA1的模式
0:慢速模式(WDTACLKI = 1/32 of CLK_IOSC)
1:快速模式(WDTACLKI = CLK_IOSC的1/1)
OPWDVAC：选择WDTA0、WDTA1变量启动代码)
该位指定触发寄存器，用于生成计数器重启触发器以避免计数器溢出。
0: WDTAnWDTE(固定)
1: WDTAnEVAC(变量)
注意:有关WDTA启动选项的详细信息，请参见第23节，窗口看门狗定时器A (WDTA)。
OPWDRUN1：该位启用或禁用WDTA1的自动启动(P1M-C除外)。
[p1h-c (4mb)， p1h-c (8mb)， p1h-ce]
0:关闭WDTA1自动启动。
1:启用WDTA1自动启动。
(P1M-C)
1:写值必须为1。
ETHDISABLE：以太网控制
0:表示以太网模块未启用。
1:以太网模块使能。
OPAUDR：选择AUD RAM监视器启用/禁用(仅限P1H-CE)
(P1H-CE)
0:禁用AUDR
1:启用AUDR
[P1M-C, P1H-C]
1:写值必须为1。

OPBT1 — Option Byte 1

OPBT1与时钟频率相关，如下图所示





PLL0FREQ:CLKD0DIV和CLKD1DIV的分频器配置以及SWDT时钟分频器。
位必须根据锁相环频率设置(由PLL0MDIVPLL0NDIV和PLL0PDIV设置)和所需的最大值。CPU频率(CLK_CPU)。
[P1M-C, P1H-CE]
00: PLL0 = 480MHz, CLK_CPU = 120MHz
01: PLL0 = 320MHz, CLK_CPU = 160MHz
10: PLL0 = 480MHz, CLK_CPU = 240MHz
11:禁止设置
(P1H-C)
00:禁止设置
01: PLL0 = 320MHz, CLK_CPU = 160MHz
10: PLL0 = 480MHz, CLK_CPU = 240MHz
11:禁止设置
一般设置为10b,即PLL0设置为480MHz，CLK_CPU设置为240MHz
EXCLKIN:选择外部时钟代替MOSC
0:选择外部时钟输入
1:选择晶振
一般设置为1
PLL0MDIV：PLL0 m分压器设置
001: 1/2 (mr = 2)
010: 1/3 (mr = 3)
other:禁止设置
一般设置为001
PLL0NDIV：PLL0 n分频器设置
0001_1111: 1/32 (nr = 32)
0010_0111: 1/40 (nr = 40)
0010_1111: 1/48 (nr = 48)
0011_1011: 1/60 (nr = 60)
other:禁止设置
一般设置为0011_1011
PLL0PDIV：PLL0 P分频器设置
000: 1/1 (pr = 1)
001: 1/2 (pr = 2)
other:禁止设置一般设置为0

OPBT2 — Option Byte 2


OPJTAG1,OPJTAG0:选择调试接口
OPBT13 — Option Byte 13


CVMHDETEN：CVM过压检测控制，1使能
CVMLDETEN：CVM欠压检测控制，1使能
OPBT14 — Option Byte 14


EMF：仿真模式选择，只有P1H-CE可以用，P1M-C,P1H-C都需要写1
PE2PB:PE2校验位是否启用，1启用



RD_SEL：阻尼电阻配置
PE2DIS：是否使能PE2，0使能


STARTUPPE：选择Start up PE使能控制

OPBT15 — Option Byte 15


CAP_SEL：主OSC电容配置
AMP_SEL：主OSC AMP配置